คุณสมบัติ
ชนิดของหน่วยความจำบัฟเฟอร์	Unregistered (unbuffered)
ความหน่วงของ CAS	11
หน่วยความจำภายใน	2 GB
ผังการวางหน่วยความจำ (โมดูล x ขนาด)	1 x 2 GB
ประเภทหน่วยความจำภายใน	DDR3
ความเร็วในการส่งข้อมูล	1600 MHz
พอร์ตรับสัญญาณภาพอะนาล็อกคุณภาพสูง	โน้ตบุ๊ค
ฟอร์มแฟคเตอร์ของหน่วยความจำ	204-pin SO-DIMM
หน่วยความจำของระบบบัส	64 บิท
จำนวนของ DRAM ที่เชื่อมต่อ	1
แรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำ	1.5 V
การกำหนดค่าของโมดูล	256M X 64
ประเทศผู้ผลิต	ไต้หวัน

คุณสมบัติ
ชุบตะกั่ว	ทองคำ

เงื่อนไขในการทำงาน
อุณหภูมิในการทำงาน (T-T)	0 - 85 °C
อุณหภูมิในการเก็บ (T-T)	-55 - 100 °C

น้ำหนักและขนาด
ความกว้าง	67.6 มม.
ความสูง	30 มม.

ข้อมูลการส่งสินค้า
รหัสระบบ Harmonized (HS)	84733020

คุณสมบัติอื่นๆ
ชิพส์ขององค์กร	X16
อัตราของสัญญาณนาฬิกาในระบบบัส	1600 MHz
ข้อบ่งชี้ข้อผิดพลาด
รูปแบบหน่วยความจำ	1 x 2048 MB
หน่วยความจำภายใน	2048 MB